APX300
Principales caractéristiques
| Deux sources de plasma disponibles |
| Approvisionnement de charge atmosphérique |
| Alimentation à verrouillage sous vide |
| Couvre un large éventail de besoins de procédé |
L’APX300 (option S) Dry Etcher est l’équipement parfait pour la gravure sèche pour les semi-conducteurs en silicium et composés. Il intègre un système de refroidissement direct multi-wafer pour un contrôle optimal de la température des wafers, ainsi que des sources de plasma MSC-ICP (Multi-Spiral Coil type) et BM-ICP (Beamed-type ICP) pour générer un plasma à haute densité. De cette façon, elle obtient un profil de gravure uniforme en très peu de temps.
S’appuyant sur la chambre de procédé à wafer unique du modèle précédent (Panasonic E620), combinée à des options de procédé améliorées et à deux systèmes de manipulation différents, l’APX300 (option S) est extrêmement rapide et répond à un large éventail de besoins de procédé.
Caractéristiques et avantages du Dry Etcher APX300 de Panasonic (option S)
Le Panasonic APX300 (option S) Dry Etcher peut traiter des plaquettes telles que des dispositifs d’alimentation, des filtres SAW, des dispositifs de communication, des capteurs MEMS et bien d’autres. L’APX300 (option S) est le successeur du précédent Panasonic E620 à succès et utilise la même chambre de procédé à wafer unique.
Deux sources de plasma sont disponibles : MSC-ICP (ICP de type bobine multi-spirale) et BM-ICP (ICP de type faisceau). Le MSC-ICP est la technologie la plus récente de Panasonic, développée pour réaliser un traitement très précis. BM-ICP offre une densité électronique plus élevée et permet un traitement plus rapide, couvrant un large éventail d’exigences de procédé.
De plus, deux types de systèmes de manutention sont disponibles : l’alimentation à charge atmosphérique et l’alimentation à verrouillage sous vide.
Le Panasonic APX300 (option S) Dry Achher est certifié CE.
Tableau des spécifications
| Dimensions (mm) | [Manipulation de la plaquette de verrouillage de chargement] W 1350 x D 2230 x H 2000 (Exclure le panneau tactile, la section d’exploitation et la tour de signalisation) [Manipulation de la plaquette de verrouillage de chargement] W 1375 x D 2600 x H 2000 (Exclure le panneau tactile, la section d’exploitation et la tour de signalisation) |
|---|---|
| Source de plasma | ICP Plasma |
| Modèle n° (Nom du modèle) | NM-EFE3AA-S |
| Gaz de procédé | 4 conduites standard (maximum 6 lignes : gaz chloré, gaz fluoré, Ar, O2, He, etc.) |
| Taille de la plaquette | Plaquette d’Ø100 mm / 150 mm avec orientation plate Tranche de 200 mm d’Ø00 mm avec encoche *Veuillez consulter si une taille différente de plaquette est nécessaire. |
| Masse (poids) | 2000 kg (Varie selon la configuration de la machine) |
| Source d’alimentation | AC triphasé 200 / 208 / 220 / 230 / 240 ±10 V, 50 / 60 Hz, 21,00 kVA *L’électricité triphasée a deux types de lignée. La figure montre le total. |
| Source pneumatique | 0,5 MPa à 0,7 MPa, 250 L/min (A.N.R.) |